Samsung і Broadcom підписали масштабну угоду до 2030 року на суму понад $200 млрд для розробки передових чіпів ШІ, що дозволить південнокорейському гіганту завантажити власні потужності та скоротити відставання від TSMC.
Про це повідомляє Reuters.
Угода передбачає поєднання досвіду Broadcom у розробці спеціалізованих мікросхем із виробничою інфраструктурою та можливостями Samsung.
Нові комунікаційні чипи для високошвидкісної передачі даних виготовлятимуть за технологією Samsung із нормами менше ніж 2 нанометри, а також спільно розроблятимуть продукти пам'яті наступного покоління.
Це партнерство зміцнить позиції Samsung у контрактному виробництві чіпів, допомагаючи залучити великих технологічних замовників.
Бекграунд. Раніше Mind повідомляв, що Samsung створила підрозділ для розвитку робототехніки. Корпорація сформувала нову структуру задля прискорення розробки та комерціалізації інноваційних рішень.